El MOSFET IRFZ46N es un transistor de canal N que puede manejar un voltaje de drenaje a fuente (Vds) de 50V, una corriente de drenaje (Id) de 50A y tiene una resistencia en estado de encendido (Rds(on)) de aproximadamente 16.5 mΩ. Es un transistor de potencia, encapsulado en TO-220, diseñado para conmutación y amplificación de señales electrónicas, con un amplio rango de temperatura de operación de -55°C a 175°C. 

Características principales: 

• Tipo de Canal: N-Channel.
• Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 50V.
• Corriente Drenaje (Id): 50A.
• Resistencia en Estado de Encendido (Rds(on)): 16.5 mΩ (a 10V Vgs).
• Voltaje Compuerta-Fuente (Vgs): ±20V.
• Disipación de Potencia (Pd): 107W.
• Encapsulado: TO-220.
• Temperatura de Operación: -55°C a 175°C.

Aplicaciones: 

• Conmutación: Es adecuado para aplicaciones que requieren encender y apagar cargas de forma rápida.
• Amplificación: Se utiliza para amplificar señales electrónicas.

Ventajas: 

• Baja Resistencia Rds(on): Permite manejar altas corrientes con pérdidas de potencia mínimas.
• Tecnología HEXFET®: Utiliza tecnología avanzada que le brinda un rendimiento rápido y alta eficiencia.